Краснознаменский завод полупроводниковых приборов Арсенал

Поверхностный монтаж

Наименование изделия Тип корпуса Тип проводимости Основные параметры Режим измерения Аналог импортный Документ с описанием Примечание
2Т3129А9/ПК КТ-46 (SOT-23) P-N-P Uкэ макс=40В  Rбэ≤1кОм BCW89 2T3129A9.spice
Uэб макс=5В
Uкб макс=50В
Uкэ нас=200мВ
Iк макс=100мА
Pк макс=200мВт
ft=200МГц
h21=30÷120 Uкб=5В, Iэ=2мА
2Т3129Б9/ПК КТ-46 (SOT-23) P-N-P Uкэ макс=40В  Rбэ≤1кОм BCW69 2T3129B9.spice
Uэб макс=5В
Uкб макс=50В
Uкэ нас=200мВ
Iк макс=100мА
Pк макс=200мВт
ft=200МГц
h21=80÷250 Uкб=5В, Iэ=2мА
2Т3129В9/ПК КТ-46 (SOT-23) P-N-P Uкэ макс=20В  Rбэ≤1кОм BCF29,BCW29 2T3129V9.spice
Uэб макс=5В
Uкб макс=30В
Uкэ нас=200мВ
Iк макс=100мА
Pк макс=200мВт
ft=200МГц
h21=80÷250 Uкб=5В, Iэ=2мА
2Т3129Г9/ПК КТ-46 (SOT-23) P-N-P Uкэ макс=20В  Rбэ≤1кОм BCF30,BCW30 2T3129G9.spice
Uэб макс=5В
Uкб макс=30В
Uкэ нас=200мВ
Iк макс=100мА
Pк макс=200мВт
ft=200МГц
h21=200÷500 Uкб=5В, Iэ=2мА
2Т3129Д9/ПК КТ-46 (SOT-23) P-N-P Uкэ макс=20В  Rбэ≤1кОм 2SB709 2T3129D9.spice
Uэб макс=5В
Uкб макс=20В
Uкэ нас=200мВ
Iк макс=100мА
Pк макс=200мВт
ft=200МГц
h21=200÷500 Uкб=5В, Iэ=2мА
2Т3129Е9/ПК КТ-46 (SOT-23) P-N-P Uкэ макс=65В  Rбэ≤1кОм ВС856А
Uэб макс=5В
Uкб макс=20В
Uкэ нас=200мВ
Iк макс=100мА
Pк макс=200мВт
ft=200МГц
h21=125÷250 Uкб=5В, Iэ=2мА
2Т3129Ж9/ПК КТ-46 (SOT-23) P-N-P Uкэ макс=45В  Rбэ≤1кОм ВС857А 2T3129J9.spice
Uэб макс=5В
Uкб макс=20В
Uкэ нас=200мВ
Iк макс=100мА
Pк макс=200мВт
ft=200МГц
h21=125÷250 Uкб=5В, Iэ=2мА
2Т3129И9/ПК КТ-46 (SOT-23) P-N-P Uкэ макс=65В  Rбэ≤1кОм ВС856В
Uэб макс=5В
Uкб макс=20В
Uкэ нас=200мВ
Iк макс=100мА
Pк макс=200мВт
ft=200МГц
h21=220÷475 Uкб=5В, Iэ=2мА
2Т3129К9/ПК КТ-46 (SOT-23) P-N-P Uкэ макс=45В  Rбэ≤1кОм ВС857B, ВС860В
Uэб макс=5В
Uкб макс=20В
Uкэ нас=200мВ
Iк макс=100мА
Pк макс=200мВт
ft=200МГц
h21=220÷475 Uкб=5В, Iэ=2мА
2Т3129Л9/ПК КТ-46 (SOT-23) P-N-P Uкэ макс=45В  Rбэ≤1кОм ВС857С, ВС860C
Uэб макс=5В
Uкб макс=20В
Uкэ нас=200мВ
Iк макс=100мА
Pк макс=200мВт
ft=200МГц
h21=420÷800 Uкб=5В, Iэ=2мА
2Т3129М9/ПК КТ-46 (SOT-23) P-N-P Uкэ макс=40В  Rбэ≤1кОм MMBT3906
Uэб макс=5В
Uкб макс=20В
Uкэ нас=200мВ
Iк макс=200мА
Pк макс=200мВт
ft=250МГц
h21=100÷300 Uкб=5В, Iэ=2мА
2Т3130А9/ПК КТ-46 (SOT-23) N-P-N Uкэ макс=40В  Rбэ≤1кОм BCW71,BCW60A 2T3130A9.spice
Uэб макс=5В
Uкб макс=50В
Uкэ нас=200мВ
Iк макс=100мА
Pк макс=200мВт
ft=200МГц
h21=100÷250 Uкб=5В, Iэ=2мА
2Т3130Б9/ПК КТ-46 (SOT-23) N-P-N Uкэ макс=40В  Rбэ≤1кОм BCF81,BCW72 2T3130B9.spice
Uэб макс=5В
Uкб макс=50В
Uкэ нас=200мВ
Iк макс=100мА
Pк макс=200мВт
ft=200МГц
h21=200÷500 Uкб=5В, Iэ=2мА
2Т3130В9/ПК КТ-46 (SOT-23) N-P-N Uкэ макс=20В  Rбэ≤1кОм BCF32,BCW606 2T3129V9.spice
Uэб макс=5В
Uкб макс=30В
Uкэ нас=200мВ
Iк макс=100мА
Pк макс=200мВт
ft=200МГц
h21=200÷500 Uкб=5В, Iэ=2мА
2Т3130Г9/ПК КТ-46 (SOT-23) N-P-N Uкэ макс=15В  Rбэ≤1кОм BCW33 2T3130G9.spice
Uэб макс=5В
Uкб макс=20В
Uкэ нас=200мВ
Iк макс=100мА
Pк макс=200мВт
ft=200МГц
h21=400÷1000 Uкб=5В, Iэ=2мА
2Т3130Д9/ПК КТ-46 (SOT-23) N-P-N Uкэ макс=20В  Rбэ≤1кОм BCW32 2T3130D9.spice
Uэб макс=5В
Uкб макс=30В
Uкэ нас=200мВ
Iк макс=100мА
Pк макс=200мВт
ft=200МГц
h21=200÷500 Uкб=5В, Iэ=2мА
2Т3130Е9/ПК КТ-46 (SOT-23) N-P-N Uкэ макс=15В  Rбэ≤1кОм BCF33 2T3130E9.spice
Uэб макс=5В
Uкб макс=20В
Uкэ нас=200мВ
Iк макс=100мА
Pк макс=200мВт
ft=200МГц
h21=400÷1000 Uкб=5В, Iэ=2мА
2Т3130Ж9/ПК КТ-46 (SOT-23) N-P-N Uкэ макс=65В  Rбэ≤1кОм ВС846А
Uэб макс=5В
Uкб макс=30В
Uкэ нас=200мВ
Iк макс=100мА
Pк макс=200мВт
ft=200МГц
h21=110÷220 Uкб=5В, Iэ=2мА
2Т3130И9/ПК КТ-46 (SOT-23) N-P-N Uкэ макс=45В  Rбэ≤1кОм ВС847А
Uэб макс=5В
Uкб макс=30В
Uкэ нас=200мВ
Iк макс=100мА
Pк макс=200мВт
ft=200МГц
h21=110÷220 Uкб=5В, Iэ=2мА
2Т3130К9/ПК КТ-46 (SOT-23) N-P-N Uкэ макс=65В  Rбэ≤1кОм ВС846В
Uэб макс=5В
Uкб макс=30В
Uкэ нас=200мВ
Iк макс=100мА
Pк макс=200мВт
ft=200МГц
h21=200÷450 Uкб=5В, Iэ=2мА
2Т3130Л9/ПК КТ-46 (SOT-23) N-P-N Uкэ макс=45В  Rбэ≤1кОм ВС847B, ВС850B
Uэб макс=5В
Uкб макс=30В
Uкэ нас=200мВ
Iк макс=100мА
Pк макс=200мВт
ft=200МГц
h21=200÷450 Uкб=5В, Iэ=2мА
2Т3130М9/ПК КТ-46 (SOT-23) N-P-N Uкэ макс=45В  Rбэ≤1кОм ВС847С, ВС850С
Uэб макс=5В
Uкб макс=30В
Uкэ нас=200мВ
Iк макс=100мА
Pк макс=200мВт
ft=200МГц
h21=420÷800 Uкб=5В, Iэ=2мА
2Т3130Н9/ПК КТ-46 (SOT-23) N-P-N Uкэ макс=40В  Rбэ≤1кОм MMBT3904
Uэб макс=5В
Uкб макс=30В
Uкэ нас=200мВ
Iк макс=200мА
Pк макс=200мВт
ft=300МГц
h21=100÷300 Uкб=5В, Iэ=2мА
2Т368А9/ПК КТ-46 (SOT-23) N-P-N Uкэ макс=15В  Rбэ≤3кОм
Uэб макс=4В
Uкб макс=15В
Kш≤3,3дБ Uкб=5В, Iк=10мА, f=60МГц
Iк макс=30мА
Pк макс=100мВт
ft=900МГц
h21=50÷300 Uкб=1В, Iк=10мА
2Т368Б9/ПК КТ-46 (SOT-23) N-P-N Uкэ макс=15В  Rбэ≤3кОм
Uэб макс=4В
Uкб макс=15В
Iк макс=30мА
Pк макс=100мВт
ft=900МГц
h21=50÷300 Uкб=1В, Iк=10мА
2Т368В91/ПК КТ-98-1 N-P-N Uкэ макс=15В  Rбэ≤3кОм BFR193
Uэб макс=4В
Uкб макс=15В
Kш≤3,3дБ Uкб=5В, Iк=10мА, f=60МГц
Iк макс=50мА
Pк макс=200мВт
ft=900МГц
h21=50÷300 Uкб=1В, Iк=10мА
2T3117Б9/ПК КТ-46 (SOT-23) N-P-N Uкэ макс=45В  Rбэ≤1кОм BC817-16
Uэб макс=4В
Uкб макс=60В
Uкэ нас=500мВ
Iк макс=500мА
Pк макс=300мВт
Ꚍрас=60нс
ft=200МГц
h21=100÷250 Uкб=5В, Iэ=200мА
2T3117В9/ПК КТ-46 (SOT-23) N-P-N Uкэ макс=45В  Rбэ≤1кОм BC817-25
Uэб макс=4В
Uкб макс=60В
Uкэ нас=500мВ
Iк макс=500мА
Pк макс=300мВт
Ꚍрас=60нс
ft=200МГц
h21=160÷400 Uкб=5В, Iэ=200мА
2T3117Г9/ПК КТ-46 (SOT-23) N-P-N Uкэ макс=45В  Rбэ≤1кОм BC817-40
Uэб макс=4В
Uкб макс=60В
Uкэ нас=500мВ
Iк макс=500мА
Pк макс=300мВт
Ꚍрас=60нс
ft=200МГц
h21=250÷600 Uкб=5В, Iэ=200мА
2ТД105А91/ПК КТ-46 (SOT-23) N-P-N Uкэ макс=60В BСV47 Дарлингтон
Uэб макс=5В
Uкб макс=60В
Uкэ нас=950мВ
Iк макс=500мА
Pк макс=250мВт
ft=25МГц
h21=2000÷1200 Uкэ=2,5В, Iк=100мА
2Т226А91/ПК КТ-46 (SOT-23) N-P-N Uкэ макс=50В BCR133 (BCR135) Rб=7÷13кОм, Rбэ=40÷74кОм
Uкб макс=50В
Uкэ нас=300мВ
Iк макс=100мА
Pк макс=250мВт
ft=70МГц
h21≥30 Uкэ=5В, Iк=5мА
2Т227А91/ПК КТ-46 (SOT-23) P-N-P Uкэ макс=250В BF823 2T227A91.spice
Uэб макс=5В
Uкб макс=250В
Uкэ нас=800мВ
Iк макс=50мА
Pк макс=250мВт
ft=20МГц
h21=50÷150 Uкэ=20В, Iк=25мА
"Арсенал"