Краснознаменский завод полупроводниковых приборов Арсенал

SiC MOSFET

Наименование изделия Тип корпуса Тип проводимости Основные параметры Режим измерения Аналог импортный Документ с описанием Примечание
ДП918Б9 КТ-27С-1 (TO-247-3L) n-MOS Ic=68 А Uзи=22В SCT3022KLGC11, C2M0025120D
Qз=178 нКл
Rси.отк<37 мОм
Uси.макс=1200В
Cвх<3800пФ
ДП918В9 КТ-43А n-MOS Ic=68 А Uзи=22В
Qз=178 нКл
Rси.отк<37 мОм
Uси.макс=1200В
Cвх<3800пФ
ДП918Е9 КТ-49-1 (TO-263-7L) n-MOS Ic=104 А Uзи=22В NVBG020N120SC1, NTBG014N120M3P
Qз=220 нКл
Rси.отк<20 мОм
Uси.макс=1200В
Cвх<7000пФ
ДП918Ж9 КТ-27С-2 (TO-247-4L) n-MOS Ic=118 А Uзи=22В NTH4L020N090SC1, NVH4L020N090SC1
Qз=196 нКл
Rси.отк<20 мОм
Uси.макс=900В
Cвх<5600пФ
ДП918К9 КТ-138-1 (PowerFLAT 8×8) n-MOS Ic=30 А Uзи=22В SCTL90N65G2V
Qз=187 нКл
Rси.отк<30 мОм
Uси.макс=650В
Cвх<3880пФ
"Арсенал"