SiC MOSFET — "Арсенал"

Наименование изделия	Тип корпуса	Тип проводимости	Основные параметры	Режим измерения	Аналог импортный	Документ с описанием	Примечание
ДП918Б9	КТ-27С-1 (TO-247-3L)	n-MOS	Ic=68 А	Uзи=22В	SCT3022KLGC11, C2M0025120D
			Qз=178 нКл
			Rси.отк<37 мОм
			Uси.макс=1200В
			Cвх<3800пФ
ДП918В9	КТ-43А	n-MOS	Ic=68 А	Uзи=22В
			Qз=178 нКл
			Rси.отк<37 мОм
			Uси.макс=1200В
			Cвх<3800пФ
ДП918Е9	КТ-49-1 (TO-263-7L)	n-MOS	Ic=104 А	Uзи=22В	NVBG020N120SC1, NTBG014N120M3P
			Qз=220 нКл
			Rси.отк<20 мОм
			Uси.макс=1200В
			Cвх<7000пФ
ДП918Ж9	КТ-27С-2 (TO-247-4L)	n-MOS	Ic=118 А	Uзи=22В	NTH4L020N090SC1, NVH4L020N090SC1
			Qз=196 нКл
			Rси.отк<20 мОм
			Uси.макс=900В
			Cвх<5600пФ
ДП918К9	КТ-138-1 (PowerFLAT 8×8)	n-MOS	Ic=30 А	Uзи=22В	SCTL90N65G2V
			Qз=187 нКл
			Rси.отк<30 мОм
			Uси.макс=650В
			Cвх<3880пФ